Кремний может сохранять проводимость при сверхнизких уровнях заряда

Казалось бы, если в электронике что-то изучено наиболее досконально, то это свойства кремния.

Оказалось, что это не так.

Исследователи из американского Национального института стандартов и технологий (NIST) придумали новый метод измерения мобильности заряжённых частиц в кремнии, который если не перевернул, то значительно расширил представление о процессах переноса заряда в полупроводниках.

Отчёт об исследовании опубликован в журнале Optics Express.

Предложенный учёными метод позволил провести наиболее чувствительные измерения скорости движения электрического заряда в кремнии, а это показатель его эффективности в качестве полупроводника.

Как следствие, новый метод позволит точнее оценить влияние на проводимость кремния тех или иных легирующих добавок и создаст основу для улучшения характеристик полупроводниковых приборов.

Это шанс улучшить работу чипов практически даром только за счёт лучшего понимания процессов.

Провести тюнинг, если так можно выразиться.

Традиционно подвижность электронов и дырок в кремнии измеряли методом Холла.

Этот метод предполагает, что на образце кремния (полупроводника) распаиваются контакты для пропускания электрического тока.

Недостатком этого способа является то, что в местах пайки образуются дефекты или появляются примеси, которые вносят искажения в результаты измерения.

Для чистоты эксперимента учёные из NIST воспользовались бесконтактным методом.

На образец кремния сначала подавался свет слабой интенсивности в виде сверхкоротких импульсов видимого света, а затем образец облучался импульсами излучения в дальнем инфракрасном или микроволновом диапазоне.

Слабый видимый свет производил на кремний эффект фотолегирования: в слое кремния возникали заряжённые частицы в виде электронов и дырок.

Видимый свет, по понятным причинам, в толщу кремния проникнуть не мог.

Именно для этого фотолегированный образец облучался терагерцевым излучением (в дальнем инфракрасном диапазоне), для которого кремний прозрачен.

И чем больше в образце заряжённых частиц, тем больше света проникает или поглощается образцом.

При этом важно отметить, что для более точного измерения подвижности электронов в образце его толщина должна была быть довольно большой ― до 1 мм.

Это исключало влияние на измерения дефектов на поверхности образца.

.

В то же время перед исследователями стояла другая проблема.

Количество «внесённых» видимым светом электронов и дырок в образце должно было быть как можно меньше, чтобы понизить порог чувствительности при измерениях.

Обычно для этого образец облучался одним фотоном, но в случае толстого образца один фотон выбивал в кремнии недостаточно заряжённых частиц.

Выход был найден в облучении образца двумя фотонами видимого света.

После этого терагерцевое излучение свободно проходило через образец при минимальном числе заряжённых частиц в объёме материала.

По утверждению учёных, порог чувствительности удалось понизить в 10 раз со 100 трлн носителей заряда на см2 до 10 трлн.

Как только порог чувствительности был понижен, выяснилось удивительное.

Подвижность электронов в кремнии оказалась способна расти даже до весьма разреженного состояния носителей в материале, о чём раньше никто не подозревал.

Собственно, сама подвижность оказалась на 50 % выше, чем считалось ранее.

Для контрольной проверки подобный эксперимент был проведён с арсенидом галлия (Ga.

As), тоже светочувствительным полупроводником.

Обнаружилось, что подвижность носителей заряда в этом материале продолжает расти по мере снижения их плотности.

Измеренный новым методом предел плотности носителей оказался примерно в 100 раз ниже, чем до этого считалось.

Что из всего этого следует? В далёком или не очень далёком будущем полупроводники смогут работать при очень низких уровнях заряда.

По крайней мере, теоретический предел отодвинут достаточно далеко.

Это и высокочувствительные солнечны панели, и однофотонные детекторы (привет квантовым компьютерам!), сверх энергоэффективная электроника и многое другое.