SK Hynix начала массовый выпуск скоростных микросхем памяти HBM2E

Южнокорейский чипмейкер SK Hynix сообщил о начале массового производства микросхем памяти HBM2E с рекордной скоростью передачи информации 3,6 Гбит/с на контакт.

Один такой стек обладает впечатляющей пропускной способностью 460 Гбайт/с.

Для сравнения, у 8 Гбайт памяти GDDR6 с 256-битной шиной и эффективной частотой 14 ГГц из состава Ge.

Force RTX 2080 этот показатель составляет 448 Гбайт/с.

В новых микросхемах HBM2E компания объединила восемь 16-гигабитных (2 ГБ) кристаллов через вертикальные межкремниевые соединения through-silicon-via (TSV).

Соответственно, ёмкость такого чипа составляет 16 Гбайт.

Высокоскоростная память SK Hynix HBM2E найдёт применение в сферах машинного обучения, искусственного интеллекта, ресурсоёмких вычислениях и high-end графических ускорителях.

На сегодня многослойную память HBM (high-bandwidth memory) можно встретить преимущественно в топовых ускорителях вычислений, таких как Nvidia A100.

В нём активны пять 8-гигабайтных стеков HBM2 с эффективной частотой 2,4 ГГц, благодаря чему достигается скорость обмена информацией в 1,6 Тбайт/с.

Если Nvidia решит использовать в его преемнике новые чипы SK Hynix, то пропускная способность буфера вырастет до 2,4 Тбайт/с.

SK Hynix.