/https%3A%2F%2Fs3.eu-central-1.amazonaws.com%2Fmedia.my.ua%2Ffeed%2F53%2F6ca376c6b0f2aee7c04a32a053eb07bb.jpg)
Прорив у сфері чипів: Китай створив напівпровідник, який перевершує кремній
Китайські вчені створили перший у світі двовимірний напівпровідник на основі селеніду індію (InSe) масштабу пластини. Цей матеріал обходить кремній за низкою характеристик та відкриває шлях для чипів наступного покоління.
Селенід індію називають "золотим напівпровідником" через ідеальне поєднання таких властивостей, як висока рухливість електронів, ширина забороненої зони та надтонкий профіль. Однак його виробництво у великих масштабах досі вважалося недосяжним, йдеться в пресрелізі Пекінського університету.
Як пояснюють дослідники, транзистори на основі InSe перевершують кремнієві за кількома показниками, демонструючи рухливість електронів до 287 см²/В·с та наднизькі підпорогові коливання за кімнатної температури.
Масштабування напівпровідник на основі InSe до розміру пластини стало справжнім проривом, адже цей матеріал досить складний у роботі. Основні труднощі полягають в екстремальній різниці в тиску пари між індієм та селеном, а також у схильності до утворення кількох стабільних фаз.
Щоб подолати це обмеження, вені розробили метод перетворення "тверде тіло-рідина-тверде тіло". Вони почали з напилення тонкої плівки аморфного InSe на сапфірові підкладки. Потім пластину покрили індієм з низькою температурою плавлення та запечатали у кварцовій порожнині.
Важливо Чипи працюватимуть у рази швидше завдяки незвичайному явищу: що виявили вченіНагрівання до температури близько 550 °C запустило ретельно контрольовану реакцію, що дозволило індію створити локалізоване, багате на індій середовище, яке сприяло рівномірній кристалізації на межі розділу.
Це призвело до отримання першої 2-дюймової пластини InSe з винятковою однорідністю товщини, фазовою чистотою та кристалічною структурою. Використовуючи ці пластини, команда створила високопродуктивні транзисторні масиви, які не просто працювали, а й перевершували очікування.
"Цей прорив відкриває новий шлях для розробки високопродуктивних, низькоенергетичних чипів наступного покоління, які, як очікується, будуть широко застосовуватися в передових галузях, таких як штучний інтелект, автономне керування та інтелектуальні термінали в майбутньому", — зазначили в Пекінському університеті.
Нагадаємо, вчені з Китаю також виготовили найбільший у світі кристал селеніду барію-галію (BGSe), який може прокласти шлях до створення лазерної зброї, здатної збивати супутники з Землі.

