JEDEC опубликовал стандарт многослойной памяти HBM3

Комитет JEDEC утвердил спецификации оперативной памяти типа HBM (High Bandwidth Memory) нового поколения.

В стандарте JESD238 описываются ключевые особенности микросхем HBM3, которые по сравнению с актуальными чипами предложат большую ёмкость и скорость работы.

Отметим, что некоторые вендоры уже успели похвастаться собственными продуктами HBM3.

В спецификациях JEDEC описываются чипы HBM3 со скоростью обмена информацией 6,4 Гбит/с на контакт, благодаря чему пропускную способность одного стека вырастет до 819 Гбайт/с.

Производители смогут объединить в микросхеме HBM3 от 4 до 16 слоёв.

Ёмкость одного слоя составляет от 8 до 32 Гбит, что позволяет наладить выпуск чипов объёмом от 4 Гбайт до 64 Гбайт.

К главным сферами применения оперативной памяти HBM3 относится обработка графики, ресурсоёмкие вычисление и различные серверные ускорители.

Например, AMD и Nvidia используют High Bandwidth Memory в ускорителях вычислений для дата-центров.

За счёт перехода с микросхем HBM2E на HBM3 пропускную способность буфера в них удастся повысить примерно в два раза.