Samsung анонсувала 12-нм мікросхеми DDR5 місткістю 32 Гбіт

Samsung Electronics повідомила про розробку перших у галузі 32-гігабітних мікросхем DDR5, що виготовляються за технологією 12-нм класу.

Це дозволить створювати модулі оперативної пам'яті ще більшого обсягу.

В опублікованому прес-релізі південнокорейський велетень заявляє, що нові чипи дозволять випускати серверні планки місткістю до 1 ТБ.

Поява мікросхем DDR5 об'ємом 32 Гбіт також дозволить покращити енергоефективність планок ОЗП.

Наприклад, у разі 16-гігабітних чипів для створення модулів місткістю 128 Гбайт доводилося використовувати технологію наскрізних міжкремнієвих з'єднань TSV (through-silicon-via).

Завдяки випуску 32-гігабітних рішень можна буде повністю відмовитись від TSV, що зменшить енергоспоживання 128-гігабайтних модулів DDR5 приблизно на 10%.

Докладніші характеристики нових мікросхем Samsung, ймовірно, опублікує ближче до кінця цього року, коли вони будуть готові до старту масового виробництва.