Micron налагодила серійний випуск пам'яті HBM3E із пропускною здатністю 1,2 ТБ/с

Компанія Micron Technology повідомила про початок масового виробництва найпередовіших у галузі мікросхем пам'яті HBM3E.

Вони розраховані на сферу штучного інтелекту, наприклад, зустріти нові чипи можна буде в прискорювачах Nvidia H200, постачання яких розпочнеться у другому кварталі цього року.

Для вищезгаданих мікросхем HBM3E характерна місткість 24 ГБ і швидкість обміну інформацією 9,2 Гбіт/с контакт, тобто пропускна здатність складе близько 1,2 Тбайт/с.

В одному такому стеку Micron поєднала вісім кристалів, що випускаються за технологією 1β (1-beta).

Серед особливостей новинок вендор також зазначає на 30% менше енергоспоживання порівняно з рішеннями конкурентів.

Якщо говорити про прискорювач Nvidia H200, то для нього заявлений 141 Гбайт пам'яті HBM3E та сумарна пропускна здатність 4,8 Тбайт/с.

Надалі Micron Technology планує об'єднати в одному стеку HBM3E одразу дванадцять кристалів, що підніме місткість до 36 Гбайт.

Зразки таких мікросхем вже були відправлені партнерам для тестування.

Більше подробиць чипмейкер обіцяє оприлюднити на конференції Nvidia GTC у другій половині березня.