Samsung продемонстрировала образцы микросхем GDDR7

Samsung Electronics привезла на конференцию GTC 2024 образцы микросхем памяти GDDR7.

Ожидается, что эти чипы будут использоваться в следующем поколении игровых видеокарт Ge.

Force RTX, созданном на базе архитектуры Blackwell.

Ранее в этом месяце JEDEC официально утвердила стандарт графической памяти GDDR7.

Для микросхем Samsung GDDR7 характерна ёмкость 16 Гбит (2 ГБ), скорость обмена информацией 32 Гбит/с на контакт и напряжение питания 1,1 В вместо 1,2 В, указанных в стандарте JEDEC.

Это обеспечивает им на 20% лучшую энергоэффективность.

Вдобавок схемотехнические оптимизации позволили на 70% уменьшить термическое сопротивление по сравнению с чипами GDDR6.

Иными словами, тепло от чипов GDDR7 будет отводиться эффективнее.

Благодаря использованию микросхем GDDR7 от Samsung пропускная способность буфера у видеокарты с 256-разрядной шиной составит 1024 Гбайт/с.

Для сравнения, у Ge.

Force RTX 4080 Super этот показатель равен 716,8 Гбайт/с.

Если верить слухам, то в видеокартах Ge.

Force RTX 50-й серии скорость чипов GDDR7 будет ограничена 28 Гбит/с, т.

пропускная способность с учётом 256-битной шины составит 896 Гбайт/с.

Как бы то ни было, подготовка к релизу следующего поколения игровых видеокарт набирает обороты, и официальные подробности о новых 3D-ускорителях мы узнаем до конца этого года.