Для перших мікросхем Samsung GDDR7 заявлено швидкість 28 і 32 Гбіт/с

Samsung Electronics готується до старту масового виробництва відеопам'яті GDDR7.

Очікується, що цей тип ОЗП використовуватиметься у наступному поколінні 3D-прискорювачів від AMD та Nvidia.

Для них південнокорейський велетень підготував два варіанти 16-гігабітних (2 ГБ) мікросхем, основні специфікації яких вже опубліковані на сайті Samsung.

Для перших чипів Samsung GDDR7 характерна швидкість 28 та 32 Гбіт/с на контакт.

Це означає, що при використанні 256-розрядної шини теоретична пропускна здатність відеобуфера складе 896 та 1024 Гбайт/с відповідно.

Для порівняння, у Ge.

Force RTX 4080 Super цей показник дорівнює 716,8 Гбайт/с.

Якщо вірити неофіційним джерелам, у відеокартах Ge.

Force RTX 50-ї серії (архітектура Blackwell) будуть використані чипи GDDR7 зі швидкістю 28 Гбіт/с.

Швидші мікросхеми, ймовірно, з'являться в оновлених моделях, на кшталт Super-лінійки.

На цю мить Samsung постачає зразки чипів GDDR7 своїм партнерам.

Серійне виробництво нових мікросхем має стартувати протягом цього року.