Samsung анонсувала пам'ять LPDDR5X зі швидкістю 10,7 Гбіт/с

Південнокорейський гігант Samsung Electronics завершив розробку найшвидших у галузі мікросхем пам'яті LPDDR5X.

Для нових чипів, що виготовляються за технологією 12-нм класу, заявлено швидкість передачі даних 10,7 Гбіт/с на контакт (режим LPDDR5X-10700).

А завдяки передовим виробничим нормам Samsung вдалося збільшити місткість однієї BGA-мікросхеми LPDDR5X до 32 Гбайт.

Серійне виробництво чипів LPDDR5X-10700 корейці планують налагодити у другій половині цього року.

Високошвидкісні мікросхеми мають знайти застосування у системах штучного інтелекту, мобільних гаджетах, персональних комп'ютерах, автомобілебудуванні та інших сферах.

Як підкреслює Samsung, у порівнянні з чипами LPDDR5X минулого покоління новинки пропонують на 25% кращу енергоефективність, більш ніж на 30% більшу місткість й на 25% кращу швидкодію.