Samsung завершила розробку 24-гігабітних мікросхем GDDR7 зі швидкістю до 42,5 Гбіт/с

Samsung Electronics відзвітувала про завершення розробки перших у галузі чипів стандарту GDDR7 місткістю 24 гігабіти (3 ГБ).

Очікується, що саме вони будуть використовуватися в новому поколінні відеокарт Ge.

Force RTX.

Під час випуску 24-гігабітних чипів GDDR7 планується використовувати п'яте покоління технології 10-нм класу.

Серед особливостей новинок корейці відзначають підвищення енергоефективності більш ніж на 30% та на 50% більшу місткість за тих самих габаритів BGA-мікросхеми, що й у попередників.

Для новинок компанія заявляє швидкості до 40 Гбіт/с, які можна буде збільшити до 42,5 Гбіт/с залежно від умов використання.

Для розуміння, завдяки переходу на мікросхеми GDDR7 40 Гбіт/с пропускна здатність пам'яті у відеокарти з 256-розрядним інтерфейсом складе вражаючі 1280 Гбайт/с.

Це на чверть більше за показник Ge.

Force RTX 4090 з 384-бітною шиною.

Втім, на появу 3D-прискорювачів із такими чипами GDDR7 доведеться ще почекати.

Цього року Samsung розраховує розпочати випробування 24-гігабітних мікросхем GDDR7 у наступному поколінні ШІ-систем від партнерів.

Старт комерційного використання очікується не раніше початку наступного року.