Крихітна мікросхема розкрила приховану міць лазерної техніки

Дослідники з EPFL значно покращили напівпровідникові лазери, що викликало хвилю ажіотажу у фотоніці та відчинило двері для багатьох застосувань.

Команда під керівництвом професора Каміля Бреса розробила лазерне джерело в масштабі чіпа, яке не тільки підвищує продуктивність напівпровідникового лазера, а й генерує більш короткі хвилі, заповнюючи давню технологічну прогалину. Ця інновація має далекосяжні наслідки для телекомунікацій, метрології та точних додатків.

Прорив полягає в з'єднанні існуючих напівпровідникових лазерів з чіпом з нітриду кремнію, в результаті чого виходить гібридний пристрій, що випромінює дуже рівномірне і точне світло як у ближньому інфрачервоному, так і видимому діапазонах. Завдяки покращенню когерентності та зміщенню лазерного випромінювання у бік видимого спектру, новаторська робота EPFL може змінити галузі, що залежать від лазерних технологій, проклавши шлях до створення більш компактних та ефективних пристроїв і навіть вплинувши на такі галузі, як біомедична візуалізація та точний хронометраж.