Samsung почала виробництво пам’яті V-NAND нового покоління: + 33% продуктивності, -10% енергоспоживання

Samsung оголосила про початок масового виробництва флешпам’яті V-NAND 9 покоління, яка пропонує приріст на 33% у порівнянні з нині актуальною. Цього місяця стартує виробництво TCL V-NAND місткістю 1 Тбіт, QLC надійде у другій половині 2024 року. Раніше початок виробництва підтверджували неофіційні джерела, з яких також відомо, що пам’ять має 290+ шарів.

«Ми раді представити першу в галузі V-NAND 9-го покоління, яка зробить крок вперед для майбутніх програм. Щоб задовольнити потреби в рішеннях для флешпам’яті NAND, Samsung розсунула межі в архітектурі осередків і операційній схемі для нашого продукту наступного покоління. Завдяки нашій новітній V-NAND Samsung продовжить задавати тенденції на ринку високопродуктивних твердотілих накопичувачів (SSD) високої щільності, які відповідають потребам майбутнього покоління ШІ», — сказав СунгХой Хур, керівник відділу флеш-продуктів та технологій пам’яті Samsung Electronics.

За словами компанії, щільність бітів V-NAND 9 покоління приблизно на 50% більша порівняно з V-NAND 8 покоління. Нові технології уникнення перешкод у комірці та подовження терміну служби комірки, підвищили якість та надійність пам’яті, а усунення фіктивних отворів у каналах значно зменшило площу комірок.

Технологія травлення отворів каналів Samsung створює електронні шляхи через укладання шарів пресформою та максимізує продуктивність виготовлення, оскільки дає змогу одночасно свердлити найбільшу в галузі кількість шарів комірок у подвійній структурі.

V-NAND 9 покоління оснащено флеш-інтерфейсом нового покоління NAND Toggle 5.1, який підтримує збільшену швидкість введення/виведення даних на 33% до 3,2 Гбіт на секунду. Енергоспоживання було покращено на 10%.