Samsung запустит производство по 2-нм технологии в первом квартале 2025 года

Samsung Electronics ускоряет работу над запуском производственных мощностей для выпуска полупроводниковых чипов по технологии 2 нм.

Уже началась установка передового литографического оборудования для производственных линий на заводе S3 в Хвасоне.

Это производство сможет выпускать 7 тысяч пластин ежемесячно уже в первом квартале следующего года.

Также идет подготовка производственной линии 1,4 нм на заводе в Пхёнтхэке, в планах запуск производства во второй половине следующего года.

А к концу года Samsung хочет перевести все оставшиеся линии 3 нм на заводе S3 на выпуск пластин 2 нм.

Также компания переводит завод Pyeongtaek Fab 4 исключительно на производство DRAM.

Сокращается производство по технологии 4 нм.

Все это является частью стратегии по постепенному переходу на производство 2 нм.

Ранее компания решила перенести запуск нового завода в Техасе из-за проблем с техпроцессом 2 нм.

В первоначальных планах запуск американского завода должен был состояться уже в текущем году, но теперь пишут, что даже полный монтаж оборудования перенесли на 2026 год.

Вероятно, Samsung начнет массовое производство 2 нм на собственных корейских заводах для лучшего контроля качества и технологии.

Сейчас Samsung испытывает сильное давление со стороны TSMC, и доля корейского производителя на рынке полупроводников сократилась до 11,5%.

Недавно мы писали, что даже некоторые корейские компании, которые проектируют специализированные чипы ИИ, уходят от Samsung к TSMC.

Поэтому для Samsung критически важно обеспечить высокое качество производства 2 нм и большие объемы производства.