Samsung подолала бар’єр 10 нм у DRAM завдяки новій структурі 4F‑cell

Samsung подолала бар’єр 10 нм у DRAM завдяки новій структурі 4F‑cell

Samsung подолала бар’єр 10 нм у виробництві DRAM, представивши нову структуру 4F‑cell, яка збільшує щільність комірок на 30–50% та відкриває шлях до масового виробництва суб‑10 нм пам’яті вже у 2028 році. Це перший у світі робочий кристал DRAM на рівні 9,5–9,7 нм.

Samsung застосувала комбінацію нової квадратної структури 4F та процесу Vertical Channel Transistor (VCT), що дозволило перейти від традиційної 6F‑архітектури до більш компактної. Такий підхід не лише підвищує щільність, а й знижує енергоспоживання. Для збереження даних у надзвичайно вузьких комірках компанія використала матеріал IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), який краще утримує заряд порівняно з кремнієм.

Розробка 10a DRAM має бути завершена цього року, а серійне виробництво заплановане на 2028‑й. Наступні покоління — 10b та 10c — отримають подальші вдосконалення, а 10d стане першим кроком до 3D DRAM у 2029–2030 роках.

Конкуренти, такі як Micron, поки що відкладають впровадження 4F‑структури, роблячи ставку на 3D DRAM. Китайські виробники стикаються з труднощами через відсутність доступу до передових літографічних технологій, хоча схожість із 3D NAND дає їм певну надію.

З огляду на стрімке зростання попиту з боку сегмента ШІ, нова технологія Samsung може стати ключовим фактором у забезпеченні ринку більш ємними та енергоефективними модулями пам’яті.

wccftech.com
Павлик Олександр