SK Hynix предложит микросхемы HBM3 с пропускной способностью 665 Гбайт/с

Компания SK Hynix рассказала о планах по выпуску многослойной памяти HBM (High Bandwidth Memory).

В настоящее время специалисты чипмейкера трудятся над микросхемами HBM3, которые принесут ощутимый прирост пропускной способности.

Добавим, что комитет JEDEC ещё утвердил спецификацию нового стандарта.

Вендор предложит микросхемы HBM3 с эффективной частотой 5,2 ГГц и припускной способностью 665 Гбайт/с.

Для сравнения, у актуальных чипов HBM2E этот показатель составляет 460 Гбайт/с.

Используя четыре стека HBM3 в графическом ускорителе можно добиться пропускной способности буфера более 2,6 Тбайт/с.

В настоящее время многослойная память HBM используется преимущественно в топовых ускорителях вычислений, например, Nvidia A100 и AMD Instinct MI100.

Именно для них предназначены готовящиеся микросхемы SK Hynix HBM3, тогда как high-end GPU для геймеров будут довольствоваться чипами GDDR6(X).

Сроки выхода нового поколения High Bandwidth Memory южнокорейский вендор пока не сообщает.