SK Hynix начинает массовое производство DRAM с использованием EUV-литографии

SK Hynix объявила о начале массового производства микросхем DRAM LPDDR4-4266 объёмом 8 Гбит на основе узла 1a-nm, который является четвертым поколением техпроцессов в диапазоне 10–20 нм.

Это первый случай, когда SK Hynix использовала оборудование с технологией экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV) в серийном производстве, после частичного внедрения на прошлых этапах.

SK Hynix ожидает, что новая технология приведет к улучшению показателей производительности и себестоимости.

По мнению специалистов, узел 1a-nm обеспечит на четверть большее количество чипов с одной пластины по сравнению с предыдущим узлом 1z-nm.

Компания планирует начать отгрузку данного типа мобильной DRAM со второй половины 2021 года.

Постепенно SK Hynix планирует переводить на нормы 1a-nm все большее количество своих продуктов памяти, включая микросхемы DDR5 для серверной, настольной и мобильной техники.

Чо Янгманн (Cho Youngmann), вице-президент SK Hynix, заявил: «Благодаря повышенной производительности и экономической конкурентоспособности новейшая 1a-nm DRAM не только поможет обеспечить высокую прибыльность, но и укрепит статус SK Hynix в роли ведущей технологической компании, благодаря раннему внедрению технологии EUV-литографии для массового производства».