Samsung має намір випустити пам'ять HBM4 у 2025 році

У 2016 році корейська компанія Samsung Electronics перша в галузі випустила на ринок мікросхеми пам'яті HBM першого покоління для застосування в сегменті високопродуктивних обчислень. Через рік з'явилася 8-шарова пам'ять типу HBM2, пізніше вийшли мікросхеми HBM2E та HBM3, а пам'ять типу HBM4 компанія розраховує уявити у 2025 році.

Як повідомляється в корпоративному блозі компанії, при випуску мікросхем типу HBM4 будуть застосовуватися інновації, спрямовані на покращення термодинамічних властивостей цього виду продукції, простіше кажучи, будуть застосовані рішення для кращого відведення тепла. При складанні стеків пам'яті буде застосовуватися непровідна полімерна плівка, що додатково механічно захищає чіпи, що монтуються один на одного. Метод гібридної мідної сполуки поєднуватиме мідні провідники з плівковим оксидним ізолятором замість традиційного припою.

Крім того, як зізнаються представники Samsung Electronics, на початку 2023 року компанія створила підрозділ, який займається передовими методами упаковки чіпів. Своїм клієнтам південнокорейський гігант буде готовий запропонувати послуги з тестування та пакування чіпів з використанням методів 2.5D та 3D, які можуть бути потрібні розробниками компонентів для високопродуктивних обчислень та систем штучного інтелекту.

До своїх технологічних досягнень Samsung також відносить випуск мікросхем оперативної пам'яті типу DDR5, що дозволяють створювати модулі пам'яті об'ємом 128 Гбайт, а також освоєння 12-нм техпроцесу в даній сфері. Надалі компанія розраховує використовувати для випуску мікросхем пам'яті літографічні норми тонші за 10 нм.

У сфері високопродуктивних обчислень може знайти гідне застосування і технологія HBM-PIM, яка передбачає виконання певної частини обчислень безпосередньо силами мікросхеми пам'яті. Швидкодія при цьому вдається підвищити до 12 разів, порівняно з традиційною архітектурою мікросхем пам'яті. Крім HBM, така архітектура впроваджуватиметься і на мікросхемах пам'яті, що працюють із протоколом CXL.

Представлені нещодавно модулі оперативної пам'яті LPCAMM, за словами представників Samsung, можна буде застосовувати не тільки в ноутбуках, але і в серверних системах, де їх висока щільність дозволить збільшити обсяг оперативної пам'яті, що використовується, без додаткової потреби в займаних площах. Такі модулі пам'яті займатимуть на 60% менше місця порівняно з SO-DIMM, а продуктивність при цьому зростає на величину до 50%. Енергетична ефективність таких модулів пам'яті вища на 70%.