Нова технологія вузла N3P дасть змогу створювати чипи за 3-нм технологічним процесом із більшою продуктивністю та енергоефективністю.
Тайванська компанія TSMC, один із найбільших розробників процесорів у світі, оголосила про те, що в її наступних чипах застосовуватиметься поліпшена технологія вузла N3P, здатна обійти за своїми характеристиками технологічні вузли Intel 20A і 18A, поява яких запланована у 2024 році. Про це повідомляє портал TechSpot.
Технологічний вузол N3P — це процес виробництва напівпровідників, розроблений компанією TSMC. Він має розмір транзисторів 3 нанометри, а отже транзистори N3P можуть бути більш енергоефективними та продуктивними. Порівняно з наявним на сьогодні технологічним вузлом N3 компанія анонсує в N3P поліпшену продуктивність до 5%, зниження енергоспоживання до 10% за тих самих тактових частот і збільшення щільності транзисторів на 4% для змішаної конструкції мікросхеми.
Технологію N3P використовуватимуть у широкому спектрі продуктів, включно зі смартфонами, планшетами, ноутбуками, серверами та автомобільними чипами. N3P використовуватиме технологію EUV (ультрафіолетове випромінювання з довжиною хвилі 13,5 нанометрів) для всіх шарів, крім металізації. Це дає змогу зменшити розмір транзисторів і підвищити щільність пакування. Так само N3P дасть можливість застосувати нову технологію контактних майданчиків, що підвищить щільність пакування і знизить опір.
Під час нещодавнього звіту про фінансові результати генеральний директор TSMC Джефф Су заявив, що їхня внутрішня оцінка підтвердила поліпшення технології N3P. Виробничий вузол 3-нм класу TSMC продемонстрував "порівнянний PPA" (область продуктивності потужності) з вузлом Intel 18A. Очікується, що N3P буде ще кращим: раніше з'явиться на ринку, зможе похвалитися "вищою технологічною зрілістю" і запропонує значні цінові переваги.
Генеральний директор TSMC так само зазначив, що 2-нанометрова технологія компанії, хоча ще перебуває на стадії розробки, але як очікується, перевершить як N3P, так і 18A. Виробничий процес TSMC за нормами 2 нм може стати найпередовішою технологією в напівпровідниковій промисловості, коли вона буде представлена у 2025 році.
Зі свого боку Intel заявляє, що її технологічні вузли 20A та Intel 18A засновані на так званих польових транзисторах із повним затвором (GAAFET), які є загальною практикою для всіх підприємств, що розробляють технологічні вузли, де крок затвора транзистора менший за 3 нм. Ще однією перевагою нової технології Intel є задня подача живлення (так звана PowerVia). Принаймні теоретично, це має забезпечити вищу щільність логіки, вищі тактові частоти та менший витік потужності, що призведе до створення більш енергоефективних конструкцій.
Раніше Фокус розповідав, що Huawei звинувачують у крадіжці секретів ASML. Викрадена інформація дуже важлива, але її недостатньо для розуміння повної картини виробництва, запевняє гендиректор ASML Пітер Веннінк.