Техпроцес 0,2 нм буде освоєно до 2037 року

Бельгійський дослідницький центр Imec співпрацює зі світовими лідерами у сфері виробництва чіпів, тому його керівництво може представляти шлях розвитку всієї напівпровідникової галузі на кілька років вперед. На його думку, до 2037 року виробники чіпів зможуть освоїти техпроцес A2, а трьома роками пізніше вдасться подолати бар’єр 0,1 нм.

Якщо виходити з прийнятих TSMC позначень, техпроцес A2 відповідає літографічним нормам 0,2 нм або 2 ангстреми. Таким чином, у 2040 напівпровідникова галузь може подолати бар’єр в 1 ангстрем, якщо передбачення глави Imec Люка ван ден Хова (Luc Van den hove) виправдаються. Свої заяви він зробив на технологічному форумі у Тайвані, роботу якого широко висвітлювали місцеві ЗМІ.

У наступному році напівпровідникова галузь приступить до виробництва 2-нм чіпів, причому в рамках цього техпроцесу відбудеться зміна структури транзисторів з FinFET на нанолісти (Nanosheet), а в 2027 після переходу на техпроцес A7 буде впроваджена структура транзисторів CFET. На думку представника Imec, випуск чіпів за технологією A14 передбачатиме обов’язковий перехід на використання обладнання з високим значенням числової апертури (High-NA EUV).

Для TSMC міграція на High-NA EUV стає майже визначеною. Нагадаємо, що найбільший у світі контрактний виробник чіпів неодноразово заявляв про відсутність намірів використовувати таке обладнання під час випуску продукції за технологією A16. Її тайванський гігант має намір освоїти з другої половини 2026 року.