/https%3A%2F%2Fs3.eu-central-1.amazonaws.com%2Fmedia.my.ua%2Ffeed%2F137%2F6c6bdb313cc8e98f356935cb2ed01c4d.jpg)
Без кремнію: «перший у світі 2D-транзистор GAAFET» на 40% швидший за аналоги Intel
Розробники з Пекінського університету заявили про створення першого у світі двовимірного малопотужного транзистора GAAFET.
Китайські дослідники називають власну розробку «багатошаровою, пластинчастою, монокристалічною двовимірною конфігурацією GAA.
«Це найшвидший і найефективніший транзистор з будь-коли створених. Якщо інновації в області чипів на основі існуючих матеріалів вважаються «коротким шляхом», то наша розробка транзисторів на основі 2D-матеріалів схожа на «зміну смуги руху»», — заявляє керівник дослідження, професор Пен Хайлін.
Розробники запевняють, що їхній транзистор за результатами тестів перевершив аналогічні розробки Intel, TSMC, Samsung та інших виробників. Польові транзистори Gate-all-around, скорочено GAAFET, є наступним етапом еволюції транзисторної технології після MOSFET та FINFET.
Останні іновації у виробництві транзисторів були досягнуті переважно за рахунок покращення контролю за джерелами та кращим зв’язком із затворами. Якщо у MOSFET-транзисторів затвор контактує з джерелом лише в одній площині, у FINFET — затвори торкаються трьох площин, схема Gate-all-around охоплює всі джерела, що перетинаются у затворах.
Такі транзистори не є чимось новим. Технологія виробництва транзисторів необхідна для виготовлення мікросхем на рівні 3 нанометрів та нижче. Однак ключова особливість китайської розробки полягає у двовимірних транзисторах, що зумовлено використанням альтернативних кремнієвим елементів.
У якості альтернативи кремнію китайські розробники використали напівпровідниковий матеріал оксиселенід вісмуту (Bi₂O₂Se), здатний бути двовимірним напівпровідником. Такі напівпровідники більш гнучкі та міцні, коли мають малі розмірі, порівняно із кремнієм, який демонструє знижену рухливість носіїв навіть на рівні у 10 нанометрів.
Через торгівельну війну зі США Китай залишився без доступу до таких технологій, як EUV-літографія для виробництва інтегральних схем. У зв’язку з цим Китай інвестував великі кошти у створення альтернативних технологій.
Оскільки США можуть посилити свої торговельні обмеження на доступ Китаю до технологій, включаючи потенційну заборону на технологію GAAFET, китайська технологічна індустрія намагається грати на випередження.
Матеріал опублікований у журналі Nature
Джерело: tomsHardware

