Підготовка до 6G. США і Тайвань спільно вироблятимуть пластини для телекомунікацій

Університет Пердью та GeChi Compound Semiconductor підписали п'ятирічний меморандум для виробництва напівпровідників із карбіду кремнію.

Про це повідомляє Interesting Engineering.

Американський виш надасть необхідну інфраструктуру, а тайванська компанія впровадить технології у виробниче середовище.

«Поєднуючи наші виробничі масштаби з провідною академічною установою Америки, ми вживаємо рішучих дій для забезпечення внутрішнього ланцюга постачання карбіду кремнію», — заявив голова правління GCCS Куан-Мін Сюн. «Ця співпраця стосується […] створення стійких, високопродуктивних виробничих потужностей у США які є абсолютно необхідними для національної технологічної безпеки та майбутнього глобальної критичної інфраструктури».

Карбід кремнію має вищу теплопровідність за звичайний матеріал і працює при температурі понад 200 °C. Пристрої з нього швидше перемикаються та втрачають менше енергії, що дозволяє інженерам створювати легші й ефективніші силові модулі.

Дослідники шукатимуть спосіб усунути дефекти кристалів для випуску 8- і 12-дюймових пластин. Це має розв’язати проблеми охолодження, передачі енергії та зв’язку 6G, що згодом сформує матеріальну базу для технологій штучного інтелекту.

Втім, нарощування карбіду кремнію потребує температур понад 1500 °C і точної хімії. Навіть дрібні відхилення створюють мікродефекти, а висока твердість матеріалу ускладнює подальше полірування. Та й фінансовий аспект залишається проблемою, адже коштують такі пластини значно дорожче за кремнієві аналоги.

Економічна вигода технології прямо залежить від досягнення високого відсотка виходу придатної продукції без браку.