CXMT перейшла на технологію HKMG для переходу до техпроцесу 1a DRAM та нарощування потужностей

Китайський виробник пам'яті CXMT впровадив технологію High-k Metal Gate (HKMG) у транзистори своєї DRAM-пам'яті, замінивши діелектрик із діоксиду кремнію на матеріал на основі оксиду гафнію.

Нововведення застосовано в техпроцесі G4 (клас 1z nm) та чипах LPDDR5X для запобігання витокам струму та підвищення енергоефективності, що усуває головне технічне обмеження для переходу до більш просунутої норми 1a та подальшого розроблення 15-нм технології G5. Одночасно компанія перебуває на стадії ризикового виробництва пам'яті HBM2E за 18-нм техпроцесом G3.

Паралельно CXMT масштабує обсяги випуску кремнієвих пластин: до кінця поточного року обсяг виробництва зросте до 300 тисяч пластин на місяць, а будівництво нових фабрик у Шанхаї та Хефей дозволить збільшити показник до 600 тисяч. Згідно з довгостроковим планом розширення, до 2031 року сукупна потужність компанії має досягти 800 тисяч пластин на місяць.