Samsung на следующей неделе запустит массовое производство 3-нм чипов

Южнокорейский гигант Samsung, по сообщениям интернет-источников, уже на следующей неделе объявит о запуске массового производства полупроводниковых изделий с применением передового 3-нанометрового технологического процесса.

Речь идёт об использовании транзисторов с кольцевыми или всеохватывающими затворами GAA (Gate-All-Around). Утверждается, что по сравнению с актуальными FinFET-транзисторами новый техпроцесс обеспечит возможность снижения энергопотребления на 50 %, повышения производительности на 30 % и сокращения занимаемой площади на 45 %.

Таким образом, Samsung сможет опередить своего конкурента в сегменте контрактного производства полупроводниковой продукции — компанию TSMC. Последняя намерена запустить массовый выпуск 3-нм изделий во второй половине текущего года.

Отмечается также, что компания Samsung уже начала разработку 2-нм технологического процесса. Но на коммерческой основе он будет внедрён не ранее 2025 года.

По оценкам TrendForce, лидером глобального рынка производства полупроводниковых чипов является TSMC с долей 53,6 % в общем объёме продаж в денежном выражении (по итогам первого квартала 2022 года). Samsung располагается на втором месте с результатом 16,3 %.