Intel та SK Hynix можуть розпочати виробництво оперативної пам'яті DRAM у США

Intel та південнокорейський гігант SK Hynix розглядають можливість створення спільного підприємства для локалізації виробництва оперативної пам'яті на території США.

У межах потенційної співпраці SK Hynix планує орендувати або придбати виробничі потужності Intel у штаті Нью-Мексико, де раніше випускалася енергонезалежна пам'ять 3D XPoint.

Головною метою партнерства стане розгортання виробничих ліній для випуску пам'яті стандарту DDR5, а також високошвидкісних мікросхем HBM, необхідних для прискорювачів ШІ. Окрім цього, SK Hynix розглядає використання фабрики Intel Fab 42 в Аризоні для завершальних етапів тестування та пакування напівпровідникових кристалів.

Запуск власного випуску DRAM у Північній Америці дозволить обом партнерам суттєво зменшити залежність від азійських виробничих майданчиків та скористатися фінансовими субсидіями в межах американської державної програми підтримки напівпровідникової галузі.

Рекомендовані обсяги інвестицій та детальні терміни реалізації проєкту партнери оголосять після завершення офіційних переговорів.