Samsung выпустила первый тестовый чип на базе 3-нм техпроцесса

Компания Samsung выпустила первый пробный чип на основе 3-нм технологии производства со структурой транзисторов GAA (с окружающим затвором), пишет Tom's Hardware. Указывается, что для разработки чипа Samsung Foundry, подразделение южнокорейской компании, занимающееся разработкой и производством полупроводниковой продукции, использовала программный инструментарий Fusion Design Platform компании Synopsys.

В основе производственного процесса Samsung 3GAA применяются GAA-транзисторы, обладающие повышенной плотностью, меньшими токами утечек и более высокой производительностью по сравнению с уже использующимися транзисторами компании. Одно из преимуществ GAA-транзисторов заключается в возможности изменения показателей их производительности и энергоэффективности, задавая находящимся в них каналам или наностраницам нужную ширину.

Для практического воплощения преимуществ технологии 3GAA компании Samsung потребовался программный инструментарий, предоставленный Synopsys. Он учитывает новые сложные методологии размещения транзисторов, правила поуровневого планирования, маршрутизации и вариативности геометрии при производстве.

«Структура GAA-транзистора знаменует ключевой момент в развитии технологических процессов и несёт решающее значение для поддержания траектории масштабирования для следующей волны гипермасштабных инноваций», — отметил управляющий отделом Digital Design Group компании Synopsys Шанкар Кришнамурти (Shankar Krishnamoorthy).

Используя программный инструментарий компании Synopsys, инженеры Samsung Foundry разработали сложную мультисистемную SoC (систему-на-чипе), содержащую функциональные блоки, часто использующиеся при фактическом серийном производстве микросхем.

Первой клиентом, который адаптирует новый техпроцесс производства чипов в своих продуктах, весьма вероятно, станет LSI — подразделение Samsung, занимающееся разработкой SoC для смартфонов, ПК, телевизоров и другой техники.