Samsung готовится к началу серийного производства 36-гигабайтных микросхем HBM3E

Высокий спрос на ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта также влияет на доходы производителей многослойной памяти HBM (High Bandwidth Memory).

Сейчас чипмейкеры вкладывают немало ресурсов в совершенствование этого вида памяти, анонсируя всё более ёмкие и быстрые микросхемы.

В частности, Samsung Electronics завершила разработку 12-слойного стека HBM3E вместимостью 36 Гбайт и уже начала поставки образцов своим партнёрам.

Для новых микросхем Samsung HBM3E заявлена пропускная 1,28 Тбайт/с.

Это в полтора раза больше показателя актуальных 8-слойных стеков ёмкость 24 ГБ.

Вместе с этим южнокорейскому гиганту удалось сохранить высоту новых микросхем HBM3E на прежнем уровне благодаря ряду фирменных технологий, вроде метода с использованием термокомпрессионной диэлектрической плёнки (TC-NCF).

Старт массового производства 36-гигабайтных микросхем Samsung HBM3E запланирован на первую половину этого года.