SK hynix представила перші модулі 12-шарової пам'яті HBM3 об'ємом 24 ГБ

Компанія SK Hynix оголосила про створення перших 12-шарових модулів пам'яті HBM3 місткістю 24 ГБ на стек.

Щільність пам'яті таких модулів на 50% вище відносно перших HBM3, запущених у виробництво минулого року.

Компанія готова постачати нові мікросхеми у другому півріччі.

Перші зразки вже надані великим замовникам.

Інженери SK hynix підвищили ефективність виробничого процесу, застосувавши технології Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) та Through Silicon Via (TSV).

Це дозволило зменшити товщину одного чипа DRAM на 40% відносно 8-шарових модулів 16 ГБ.

Модулі HBM використовуються для створення високопродуктивних чипів, де пам'ять розташована на одній підкладці з процесором.

З нарощуванням потужностей у сегменті високопродуктивних обчислень HPC та серверних систем зростає попит і на подібні пристрої.

Найвідомішим продуктом з HBM3 є прискорювач Nvidia H100 на основі GPU Hopper, який активно використовується для навчання нейромереж.

У графічного чипа H100 активно п'ять із шести стеків HBM3 по 16 ГБ, тому загальний обсяг високошвидкісної пам'яті сягає 80 ГБ.

За тих же параметрів, але з новими модулями, прискорювач міг би використовувати 120 гігабайтів пам'яті.

Це дає уявлення, скільки пам'яті буде у майбутніх прискорювачів Nvidia.