SK Hynix завершила работу над микросхемами памяти HBM3

Южнокорейский чипмейкер SK Hynix отчитался об успешном завершении разработки микросхем памяти стандарта HBM3.

В этой сфере компании удалось опередить ближайших конкурентов, анонсировав первые в мире многослойные чипы High Bandwidth Memory четвёртого поколения.

В новых микросхемах увеличилась не только пропускная способность относительно HBM2E, но и ёмкость.

Одна микросхема SK Hynix HBM3 состоит из восьми или двенадцати 16-гигабитных кристаллов, связанных через вертикальные межкремниевые соединения TSV (through-silicon-via).

Нетрудно подсчитать, что суммарный объём такого стека равен 16 или 24 гигабайтам.

Толщину одного слоя в подобном «бутерброде» HBM3 инженеры SK Hynix смогли уменьшить до 30 микрометров.

В пресс-релизе компания сравнивает этот показатель с одной третью толщины стандартного листа бумаги A4.

Что касается скоростных параметров, то для одной микросхемы HBM3 производства SK Hynix заявлена пропускная способность 819 Гбайт/с.

Это на 78% больше, чем у аналогов стандарта HBM2E (460 Гбайт/с).

Изначально чипы HBM3 будут использоваться в сферах машинного обучения, искусственного интеллекта и ресурсоёмких вычислений.