Samsung уже приступила к работе над оперативной памятью DDR6

Веб-ресурс Computer.

Base поделился интересными подробностями с мероприятия Samsung Tech Day 2021, которое на днях провёл южнокорейский чипмейкер.

В первую очередь была затронута тема будущих стандартов оперативной памяти, в том числе DDR6 и GDDR7.

Над их спецификацией сейчас трудятся участники комитета JEDEC.

Оперативная память DDR5 дебютировала совсем недавно и, если верить прогнозам, станет по-настоящему массовой только в 2023 году.

Актуальный стандарт JEDEC описывает модули с эффективной частотой до 6400 МГц.

В случае оверклокерских планок DDR5, как считает Samsung, этот показатель удастся нарастить до 8400 МГц.

Стандарт DDR6 сейчас находится в ранней стадии разработки и будет утверждён не раньше 2024 года.

В нём планируется увеличить скорость работы в два раза относительно DDR5 — до 12 800 МТ/с (мегатранзакций в секунду), при этом у топовых решений данный параметр будет достигать 17 000 МТ/с.

Интересной особенностью памяти DDR6 станет удвоение каналов в одном модуле относительно DDR5: на смену двум 32-битным шинам придут четыре 16-битные.

Samsung также работает над высокоскоростной графической памятью.

В обозримом будущем должна наладить выпуск микросхем GDDR6+ со скоростью передачи информации 24 Гбит/с на контакт (против 18 Гбит/с у актуальных GDDR6).

Стандарт GDDR7 должен нарастить скорость до 32 Гбит/с, однако его ориентировочные сроки дебюта ещё не были утверждены.

Не осталась без внимания многослойная память High Bandwidth Memory (HBM).

Во втором квартале 2022-го Samsung запустит серийный выпуск микросхем HBM3 с пропускной способностью около 800 Гбайт/с.

К слову, SK Hynix уже представила широкой публике образцы таких чипов.