Технология IBM и Samsung улучшит автономность смартфонов почти вдвое

IBM и Samsung разработали новый подход к выпуску микросхем.

Он позволит повысить вычислительную мощность микросхем вдвое и понизить расход энергии на 85%.

Подписывайтесь на LIGA.

Tech в Facebook: главные новости о технологиях.

Технология, разработанная IBM и Samsung, названа Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET), что переводится с английского как вертикальные транспортные полевые транзисторы.

С ее помощью можно производить более компактные микросхемы за счет того, что транзисторы в них размещаются не так, как принято сейчас — рядом друг с другом (технология FinFET), а вертикально.

Главное преимущество VTFET перед FinFET заключается в возможности производить микросхемы с большим количеством транзисторов, не увеличивая размер чипов.

Разработчики уверяют, что батареи для мобильных телефонов, созданные на основе VTFET, смогут работать не днями, а неделями.

Польза от внедрения VTFET будет ощутима и для другой техники, включая коммуникации и транспорт.

Подписывайтесь на LIGA.

Tech в Telegram: только важное.

Компания IBM создала первые образцы микросхем VTFET на основе двухнанометрового процессора.

В чипе размером с ноготь поместилось 50 млрд транзисторов.

Пока эта технология совершенствуется, а первые образцы проходят испытание.

Сейчас неизвестно, когда начнется серийный выпуск устройств.

IBM уверяет, что разработка VTFET— это большой шаг вперед к созданию транзисторов следующего поколения, которые позволят производить более мощные и энергоэффективные устройства в ближайшие годы.

Создан аккумулятор, который гнется и не боится воды.

Андрей Квятковский.

Если Вы заметили орфографическую ошибку, выделите её мышью и нажмите Ctrl+Enter.

Напишите нам.

Samsung IBM микросхемы производство микросхем.

Больше вакансий.

Графічний дизайнер (рівень middle).

Кореспондент (напрямок: економіка бізнес і фінанси).

Разместить вакансию.