SK hynix разработала самую быструю в мире память HBM3e
SK hynix разработала самую быструю в мире память HBM3e

SK hynix разработала самую быструю в мире память HBM3e

Южнокорейский чипмейкер SK hynix заявил об успешной разработке самых производительных в мире микросхем памяти HBM3e.

В настоящее время компания занимается поставкой опытных образцов своим клиентам, в том числе Nvidia, и готовится к старту массового производства.

Он запланирован на первую половину следующего года.

Вероятно, они будут использоваться в обновлённых суперчипах Grace Hopper GH200, поставки которых начнутся во втором квартале 2024-го.

В них компаниях увеличит объём GPU-буфера с 96 до 144 Гбайт, вместе с этим нарастив пропускную способность до 5 Тбайт/с.

Подробные спецификации новых микросхем SK hynix пока не раскрывает.

Известно, что один чип обеспечивает скорость обмена информацией до 1,15 Тбайт/с.

То есть при использовании шести стеков, как в обновлённом GH200, теоретическая пропускная способность составит 6,9 Тбайт/с.

Главной сферой применения высокоскоростных микросхем HBM3e чипмейкер называет ускорители искусственного интеллекта.

Источник материала
loader
loader