Samsung анонсировала память LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с

Южнокорейский гигант Samsung Electronics завершил разработку самых быстрых в отрасли микросхем памяти LPDDR5X.

Для новых чипов, изготавливаемых по технологии 12-нм класса, заявлена скорость передачи данных 10,7 Гбит/с на контакт (режим LPDDR5X-10700).

Благодаря передовым производственным нормам Samsung удалось увеличить ёмкость одной BGA-микросхемы LPDDR5X до 32 Гбайт.

Серийное производство чипов LPDDR5X-10700 корейцы планируют наладить во второй половине этого года.

Высокоскоростные микросхемы должны найти применение в системах искусственного интеллекта, мобильных гаджетах, персональных компьютерах, автомобилестроении и других сферах.

Как подчёркивает Samsung, по сравнению с чипами LPDDR5X прошлого поколения новинки предлагают на 25% лучшую энергоэффективность, более чем на 30% большую ёмкость и на 25% лучшее быстродействие.