Samsung запустила тестове виробництво своєї нової пам’яті HBM4, з метою почати масове виробництво вже наприкінці 2025 року. Це на шість місяців раніше, ніж планувалося спочатку. Очікується, що пам’ять нового покоління забезпечить зростання швидкості передавання даних на 66% порівняно з попередньою версією HBM3E і збільшить об’єм сховища.
Що ще відомо
Компанія завершила проєктування логічних чипів для HBM4 і почала пробне виробництво на 4-нм техпроцесі. Ці роботи ведуться на спеціалізованому об’єкті D1c. Очікується, що нова пам’ять забезпечить швидкість передавання даних до 2 ТБ/с і підтримає інтерфейс 2048 біт із пропускною спроможністю 6,4 GT/s. Крім того, HBM4 матиме ємність до 48 ГБ, що на 33% більше, ніж у поточних рішень.
Пам’ять нового покоління використовуватимуть у майбутній GPU-платформі “Rubin” від Nvidia, яку випускатимуть у 2026 році.