Самая быстрая память в мире записывает данные в 10 000 раз быстрее, чем современные технологии

Об этом пишет издание interestingengineering.com.

Обычная статическая и динамическая оперативная память (SRAM, DRAM) записывает данные за 1–10 наносекунд, но теряет все при отключении питания. Флэш-чипы, напротив, хранят данные без питания, но обычно требуют микро- или миллисекунд на запись — слишком медленно для современных ИИ-ускорителей, обрабатывающих терабайты параметров в реальном времени.

Группа ученых из Фуданя перепроектировала физику флэш-памяти, заменив кремниевые каналы двумерным графеном. Настроив "гауссову длину" канала, они добились двумерной суперинжекции, представляющей фактически безграничный всплеск заряда в слой хранения, который обходит классическое узкое место инжекции. Используя оптимизацию процесса на основе ИИ, они довели энергонезависимую память до ее теоретического предела. Это открывает путь для будущей высокоскоростной флэш-памяти.

Поскольку PoX является энергонезависимым, он сохраняет данные без резервного питания, что является критически важным свойством для следующего поколения периферийного ИИ и систем с ограничениями в плане хранения энергии. Сочетание сверхнизкой энергии с пикосекундной скоростью записи может устранить давнее узкое место памяти в выводе и обучении ИИ, где передача данных, а не арифметика, теперь доминирует в бюджетах мощности.

Память в стиле PoX может исключить отдельные высокоскоростные кэши SRAM в ИИ-чипах, сократив площадь и энергию. Она может обеспечить мгновенное включение маломощных ноутбуков и телефонов, а также поддержку баз данных, которые хранят целые рабочие наборы в постоянной оперативной памяти.

Инженеры из Фуданя сейчас масштабируют архитектуру ячеек и проводят демонстрации на уровне массива.