Micron згортає розробку пам'яті 4F² DRAM після двох десятиліть досліджень і робить ставку на 3D DRAM

Micron Technology ухвалила стратегічне рішення відмовитися від комерційного впровадження комірок пам'яті типу 4F² DRAM, попри те що заявляє про авторство цього дизайну та понад двадцять років досліджень у цьому напрямі.

Про це повідомив президент і головний технічний директор Micron Скотт ДеБур під час технологічного вебінару компанії. Конструкція 4F² на папері використовує вертикальні канальні транзистори, що дозволяє скоротити площу кожної комірки приблизно на третину порівняно зі стандартним компонуванням 6F², яке сьогодні масово застосовується у виробництві DRAM.

Однак у Micron дійшли висновку, що реальна щільність пам'яті в таких чипах обмежується не площею самої комірки, а можливістю щільного розміщення конденсаторів, через що перевага 4F² над 6F² є значно меншою, ніж очікувалося. Ба більше, цей підхід супроводжується зростанням виробничих витрат і технічної складності, стикаючись із фундаментальними обмеженнями масштабування на передових техпроцесах. У результаті компанія вирішила зосередитися на розвитку традиційної архітектури 6F² із подальшим переходом на багатошарову пам'ять 3D DRAM.

Такий крок помітно відрізняє Micron від головних конкурентів на ринку. Samsung і SK hynix продовжують активну розробку 4F²-дизайнів, а китайський виробник CXMT планує випустити перші серійні серверні модулі DDR5 RDIMM на базі 4F² вже до кінця поточного року. Тим часом Micron планує і далі вдосконалювати 6F², готуючи нові виробничі вузли до запуску у найближчі роки, паралельно розробляючи 3D DRAM як довгострокову альтернативу, хоча точних термінів її масового виходу на ринок компанія поки не називає.