Micron анонсувала пам'ять 3D NAND G11 із понад 400 шарами та подвійною щільністю

Micron розкрила нові деталі власної дорожньої карти розвитку енергонезалежної пам’яті, представивши покоління 3D NAND G11.

Виробник вирішив повністю пропустити номінальну серію G10, перейшовши від нинішньої G9 одразу до одинадцятої ітерації. Такий крок зумовлений радикальною зміною архітектури та суттєвим стрибком у технологічному процесі виготовлення чипів.

Ключовою зміною стало збільшення кількості вертикальних шарів: якщо в чипах G9, зокрема в SSD Crucial P510, використовувалося 276 шарів, то в G11 їх кількість перевищує 400. У поєднанні зі зменшенням кроку комірок це дозволяє приблизно подвоїти щільність запису даних на квадратний міліметр кремнію порівняно з попередніми показниками TLC-пам'яті — близько 21 Гбіт/мм².

З покоління G11 Micron також переходить на технологію компонування wafer-on-wafer, відому як Direct X3D. Вона передбачає виготовлення масиву комірок пам’яті та периферійної логіки введення-виведення на двох окремих кремнієвих пластинах, які згодом з’єднуються на молекулярному рівні. Це звільняє корисну площу під кристалом і суттєво покращує швидкодію.

Швидкість зовнішнього інтерфейсу нових чипів зросла на 50% порівняно з G9 — від 3,6 Гбіт/с до приблизно 5,4 Гбіт/с на канал. При цьому питоме енергоспоживання під час передачі кожного біта інформації вдалося зменшити на понад 25%. Початок масового випуску пластин 3D NAND G11 заплановано на другу половину 2027 року, а перші споживчі SSD на її основі з'являться пізніше.