Micron наладила серийный выпуск памяти HBM3E с пропускной способностью 1,2 ТБ/с

Компания Micron Technology сообщила о начале массового производства самых передовых в отрасли микросхем памяти HBM3E.

Они рассчитаны на сферу искусственного интеллекта, к примеру, встретить новые чипы можно будет в ускорителях Nvidia H200, поставки которых начнутся во втором квартале этого года.

Для вышеупомянутых микросхем HBM3E характерна ёмкость 24 ГБ и скорость обмена информацией 9,2 Гбит/с на контакт, т.

пропускная способность составит около 1,2 Тбайт/с.

В одном таком стеке Micron объединила восемь отдельных кристаллов, выпускаемых по технологии 1β (1-beta).

Среди особенностей новинок вендор также отмечает на 30% меньшее энергопотребление по сравнению с решениями конкурентов.

Если говорить об ускорителе Nvidia H200, то для него заявлен 141 Гбайт памяти HBM3E и общая пропускная способность 4,8 Тбайт/с.

В дальнейшем Micron Technology планирует объединить в одном стеке HBM3E сразу двенадцать кристаллов, что поднимет ёмкость до 36 Гбайт.

Образцы таких микросхем уже были отправлены партнёрам для тестирования.

Больше подробностей чипмейкер обещает обнародовать на конференции Nvidia GTC во второй половине марта.