Samsung завершила разработку 24-гигабитных микросхем GDDR7 со скоростью до 42,5 Гбит/с

Samsung Electronics отчиталась о завершении разработки первых в отрасли чипов стандарта GDDR7 вместимостью 24 гигабита (3 ГБ).

Напомним, что ранее южнокорейский гигант приступил к производству 16-гигабитных (2 ГБ) микросхем со скоростью 28 и 32 Гбит/с на контакт.

Ожидается, что именно они будут использоваться в новом поколении видеокарт Ge.

Force RTX.

При выпуске 24-гигабитных чипов GDDR7 планируется использовать пятое поколение технологии 10-нм класса.

Среди особенностей новинок корейцы отмечают повышение энергоэффективности более чем на 30% и на 50% большую ёмкость при тех же габаритах BGA-микросхемы, что и у предшественника.

Для новинок компания заявляет скорости до 40 Гбит/с, которые можно будет увеличить до 42,5 Гбит/с в зависимости от условий использования.

Для понимания, благодаря переходу на микросхемы GDDR7 40 Гбит/с пропускная способность памяти у видеокарты с 256-разрядным интерфейсом составит впечатляющие 1280 Гбайт/с.

Это на четверть больше показателя Ge.

Force RTX 4090 с 384-битной шиной.

Впрочем, появления 3D-ускорителей с такими чипами GDDR7 придётся ещё подождать.

В этом году Samsung рассчитывает приступить к испытаниям 24-гигабитных микросхем GDDR7 в следующем поколении ИИ-систем от партнёров.

Старт коммерческого использования ожидается не раньше начала следующего года.