Samsung робить величезний прорив у створенні пам’яті нового типу — Selector-Only Memory

Samsung зробила суттєвий прорив у створенні нової технології пам’яті під назвою Selector-Only Memory (SOM). Використовуючи передові методи комп’ютерного моделювання, компанія вдосконалила SOM, яка поєднує швидкість читання і запису, подібну до оперативної пам’яті DRAM, з енергонезалежністю та можливістю стекування, що робить її привабливою для застосування в сучасних пристроях.

Технологія SOM базується на архітектурі пам’яті з перехресними точками, яка схожа на фазову пам’ять і резистивну оперативну пам’ять (RRAM). Вона використовує стекові масиви електродів, що дозволяє забезпечити високу продуктивність. Зазвичай для адресації комірок пам’яті застосовуються селекторні транзистори або діоди, які запобігають виникненню небажаних електричних шляхів. Samsung пішла іншим шляхом, дослідивши нові матеріали, які можуть одночасно виступати як селектор і елемент пам’яті.

Samsung обрала халькогенідні матеріали як основу для нової форми енергонезалежної пам’яті. У ході досліджень було протестовано понад 4 тисячі різних матеріалів, з яких комп’ютерне моделювання Ab-initio допомогло обрати 18 найперспективніших. Основна увага приділялася покращенню двох ключових параметрів: дрейфу порогової напруги та оптимізації вікна пам’яті, що є важливими показниками продуктивності SOM.

Традиційно халькогенідні системи Ge, As і Se використовуються у порогових перемикачах (OTS) для таких досліджень. Однак у Samsung розширили цей підхід, зосередивши увагу на ширшому спектрі матеріалів, враховуючи характеристики з’єднання, термічну стабільність і надійність пристроїв. Це дозволило досягти кращої продуктивності й ефективності нової пам’яті.

На майбутній Міжнародній виставці електронних пристроїв (IEDM), яка відбудеться з 7 по 11 грудня в Сан-Франциско, дослідники з Samsung представлять результати своїх досліджень. Вони поділяться деталями роботи з халькогенідними матеріалами та пояснять, як їхнє новаторське комп’ютерне моделювання сприяє розробці SOM. Крім того, на IEDM виступить команда IMEC, яка розкаже про потенційні атомні механізми, що впливають на роботу селекторного компонента в SOM.