Samsung прискорила розробку HBM4

Пам’ять сімейства HBM виявилася затребуваною в сегменті прискорювачів обчислень для систем штучного інтелекту, і нечисленні постачальники намагаються зміцнити свої позиції у цьому прибутковому сегменті ринку. Samsung очевидно відстала від SK hynix у цій сфері, але постарається надолужити втрачене в рамках підготовки до масового випуску мікросхем типу HBM4.

Принаймні, це вказує публікація південнокорейського ресурсу The Chosun Daily, який посилається на джерела, знайомі з планами Samsung Electronics. За наявною інформацією, Samsung вже завершила розробку базових кристалів для HBM4 і доручила їх виробництво за 4-нм технологією власному контрактному підрозділу. Тим самим Samsung сподівається якнайшвидше отримати готові зразки мікросхем HBM4 і направити їх потенційним клієнтам, які в результаті можуть перекинутися від SK hynix у разі успіху ініціативи.

Характерною особливістю стеків HBM4 є наявність у них базового кристала з логікою, функції якої можуть відрізнятись від клієнта до клієнта. Необхідність подібної адаптації у поєднанні з орієнтацією на зниження енергоспоживання змушує SK Hynix доручити виробництво таких базових кристалів тайванської TSMC. Спочатку вважалося, що вони для SK hynix будуть випускатися за 5-нм технологією, і на цьому фоні рішення Samsung застосувати в аналогічних цілях свій 4-нм техпроцес виглядало більш виграшним, але деякий час тому з’явилася інформація про наміри SK hynix замовити TSMC випуск базових кристалів за більш досконалою 3-нм технологією.

За задумом Samsung випуск базових кристалів власними силами дозволить компанії швидше реагувати на запити клієнтів, тому компанія розраховує на зміцнення своїх ринкових позицій після виходу на ринок своїх мікросхем типу HBM4. По-друге, Samsung розраховує використовувати для виробництва кристалів DRAM у стеку досконаліший техпроцес 10-нм класу шостого покоління, тоді як SK hynix приписується 10-нм техпроцес п’ятого покоління. Щільно скомпоновані в стеку, що налічує до 16 ярусів, мікросхеми можуть виділяти значну кількість тепла, тому техпроцес їх виготовлення набуває особливої ​​важливості.

Нарешті, Samsung при виробництві HBM4 розраховує впровадити як прогресивніший гібридний метод формування міжшарових з’єднань з використанням міді, так і більш сучасну технологію упаковки чіпів TC-NCF. До масового виробництва HBM4 компанія має намір розпочати цього року.