TSMC оголосила терміни старту виробництва 1,4-нм чіпів із нанолистами

TSMC анонсувала 1,4-нм техпроцес A14 на транзисторах Gate-All-Around (GAA) другого покоління. елементів підвищиться на 23%, а загальна щільність транзисторів в умовах змішаного проектування – 20%. Масове виробництво заплановано на 2028 рік, а версія із подачею живлення зі зворотного боку чіпа дебютує у 2029 році.

Під час Північноамериканського технологічного симпозіуму, компанія TSMC повідомила, що A14 – це новий техпроцес, розроблений з нуля, тому для нього не підійдуть дизайни чіпів, спроектовані для попередніх техпроцесів. Нова технологія побудована на транзисторах з нанолистами другого покоління, вироблених з використанням новітньої технології GAA. Це відрізняє його від техпроцесу N2P, заснованого на платформі N2, і від A16, що є поліпшеним N2P із системою подачі живлення зі зворотного боку (Backside Power Delivery – BSPDN).

На відміну від A16 базова версія A14 не підтримує архітектуру Super Power Rail. Це знижує вартість, але обмежує застосування технології у сценаріях, де потрібна висока щільність розведення електроживлення. Проте відсутність BSPDN робить A14 доцільним вибором тих додатків, у яких переваги цієї технології мінімальні чи виявляються.Незважаючи на відсутність BSPDN, техпроцес A14 зберігає високу ефективність завдяки використанню транзисторів з нанолістами другого покоління. Одним із ключових компонентів технології є NanoFlex Pro — удосконалена архітектура стандартних осередків, що надає розробникам гнучкість при конфігуруванні логічних блоків з урахуванням трьох важливих метрик: продуктивності, енергоспоживання та площі кристала (Power, Performance, Area — PPA). Хоча компанія не розкриває технічних відмінностей NanoFlex Pro від попередньої версії NanoFlex, можна припустити, що йдеться про розширені можливості DTCO — спільну оптимізацію проектування та технології — а також більш точне налаштування на рівні осередків і транзисторів.