Компанія Samsung оголосила про початок виробництва 3-нанометрових чипів

КИЇВ. 2 липня. УНН. Компанія Samsung оголосила про початок виробництва чипів на базі 3-нанометрового технологічного вузла із застосуванням транзисторів Gate-All-Around (GAA). Про це йдеться у повідомленні компанії, передає УНН.

Деталі

Як очікується, використання нових технологій підвищить ефективність енергоспоживання шляхом зниження рівня напруги живлення, а також покращить продуктивність роботи мікрочіпів, оскільки вони будуть меншими, потужнішими та ефективнішими.

Їх збираються використовувати у високопродуктивних обчислювальних додатках, а пізніше впровадять у смартфони та інші ґаджети.

Як зазначається, ці технології дають змогу знизити енергоспоживання на 45%, підвищити продуктивність на 23% і зменшити площу поверхні мікрочіпа на 16% в порівнянні з 5-нонаметровим.

Нагадаємо 

Австралійський регулятор з питань конкуренції заявив, що суд зобов’язав місцевий підрозділ Samsung Electronics сплатити штраф у розмірі 9,65 млн доларів за дев’ять оманливих оголошень про водонепроникність деяких із їх смартфонів.